报告称三星 3nm 芯片良率已超过台积电

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IT之家 7 月 18 日报道，根据 Hi & 近日发布的报告，3nm 工艺的良率已达到 60%，高于台积电（55%）。

据悉，三星正在大力发展3nm，不断改进网生产技术并提高生产良率，目前已将良率提升至60%。 媒体认为，三星将在超先进芯片制造技术方面超越台积电。

报道还指出，三星目前在4nm工艺上的良率是75%，远远落后于台积电（80%），但未来有望通过开发3nm来超越台积电。

报道还指出，由于台积电的大部分订单都被苹果预订，因此英伟达和高通等公司对三星的第二代3纳米（SF3）工艺感兴趣。

IT之家此前报道，在 SFF 2023 公布的最新工艺技术路线图中，该公司计划于 2025 年推出 网2 纳米 SF2 工艺，并于 2027 年推网出 1.4 纳米 SF1.4 工艺。同时，该公司还宣布SF2 工艺的一些特征。