三星预测 1000 层以上的 NAND 将于 2030 年上市

IT之家 6 月 30 日消息，据韩国媒体 The Elec 报道，三星存储业务高管近日在参加电子工程师学会 2023 年夏季会议时表示，V-NAND 在 2030 年可以堆叠到 1000 层。

三星预测，V-NAND 的竞争将持续到 1000 层以上。 网三星在2013年推出了24层，在过去的10年里，已经发展到了200层。

IT之家注：三星最初推出的网 V-NAND 每芯片网容量为 128Gb（16GB）。 通过3D堆叠技术，最多可以堆叠24层裸片，这意味着24层堆叠的总容量将达到384GB。

资料来源：The Elec

三星高管表示，因为V-NAND的存在，它延续了NAND​​的历史，是韩国国创技术和生态系统为数不多的成功案例之一。

三星高管表示，要推广1000层NAND技术，就像建造摩天大楼一样，需要考虑倒塌、弯曲、断裂等诸多稳定性问题。 此外，还需要克服连接孔加工技术、最小化电池干扰、缩短层高和扩大每层存储容量等挑战。

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