业内首创，天岳先进公布 8 英寸碳化硅衬底最新技术

IT之家7月3日消息，天岳先进携8英寸碳化硅衬底最新技术研发亮相中国展，并披露了最新进展。

IT之家注：上海半导体展是全球规模最大、最具影响力的半导体专业展会，涵盖芯片设计、制造、封装测试、设备、材料、光伏、显示等行业。

据公司CTO高超博士介绍，公司目前主攻6英寸导电碳化硅衬底。 上海临港工厂已进入产品交付阶段，8英寸产品也已实现产业化。

高超博士

近日，天岳先进了利用液相法制备低缺陷8英寸晶体。 通过热场、方案设计和工艺创新，突破了碳化硅单晶高质量生长界面网控制和缺陷控制难题，属行业首创。 除了产品尺寸外，在大尺寸单晶的高效制备方面，采用公司最新技术制备的晶体厚度已超过60mm。

据了解，6英寸碳化硅晶圆仍是市场主流产品，8英寸衬底正在成为技术演进方向。 中国、罗姆、英飞凌等国际主要厂商相继布局。 8英寸的面积比6英寸的面积大约高78%网。 同等条件下，8英寸基板切割的芯片数量将增加网近90%，整体单位成本可降低50%。

天越先进今年5月与英飞凌签署了新的晶圆和硅锭供应协议，供应碳化硅6英寸衬底，并合作制备8英寸衬底。

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