整流二极管参数(二极管的结构特性及主要参数)

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整流二极管参数(二极管的结构特性及主要参数)

二极管的结构特性及主要参数

一.结构特性

1.二极管的符号。二极管的文字符号为“VD”,常用二极管的符号如下。

整流二极管参数(二极管的结构特性及主要参数)-第1张图片


2.二极管的特性。二极管具有单向导通性,电流只可以从正极流向负极,而不可以从负极流向正极。

硅二极管正想电压大于0.7V时导通,锗二极管为0.3V。

二.二极管的主要参数

1.百思特网最大整流电流:是指正向通过PN接百思特网的最大平均电流。实际使用中小于该电流,否则将损坏二极管。

2.最大反向电压:指加在二极管两端而不至于引起PN结击穿的最大反向电压。选用2倍工作电压以上的二极管。

3.反向电流:指加在二极管上规定的反向电压下,通过二极管的电流。硅二极管为1A或者更小,锗二极管几百微安。使用中反向电流越小越好。

4.最高工作频率:指保证二极管良好工作特性的最高频百思特网率。至少应2倍与电路实际工作频率。

整流二极管参数(二极管的结构特性及主要参数)-第2张图片